Positronium formation from porous silica in backscattering and transmission geometries
Positronium formation from porous silica in backscattering and transmission geometries
复制标题
反向散射和透射几何结构中多孔二氧化硅形成正电子
DOI：
10.1140/epjd/e2014-40762-x
复制
发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
U. Uggerhøj
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
S. Andersen;Rasmus R. Johansen;Jakob B. Overgaard;Johan K. Mortensen;K. K. Andersen;H. D. Thomsen;M. Lund;J. Chevallier;H. Knudsen;U. Uggerhøj
奥胡斯正电子束线被用来测量由掠角沉积技术产生的多孔二氧化硅薄膜的正电子形成分数。这些研究在后向散射几何中发现的最高地层分数为（57.7±1.0）%，与其他测量结果很好地一致。在传输模式下，正电子的最大输出为（12.5±0.5）%。这是对多孔二氧化硅薄膜传输过程中正电子形成的首次测量，为未来优化传输过程中正电子形成的尝试奠定了基础。
The Aarhus positron beam line is utilised to measure the positronium formation fraction from porous silica thin films created by the Glancing Angle Deposition technique. The highest formation fraction found from these studies in a backscattering geometry is (57.7 ± 1.0)% in good agreement with other measurements. In transmission mode, the maximum positronium output is found to be (12.5 ± 0.5)%. These are the first measurements of positronium formation in transmission of a porous silica thin film, a starting point for future attempts to optimise the positronium formation in transmission.