Minority carrier lifetime in highly doped Ge
Minority carrier lifetime in highly doped Ge
复制标题
高掺杂 Ge 中的少数载流子寿命
DOI：
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发表时间：
1972
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
J. Aengenheister
中科院分区：
文献类型：
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作者：
R. Conradt;J. Aengenheister
