Photoluminescence from n-type tensile-strained Ge and GeSn wires on an insulator fabricated by lateral liquid-phase epitaxy
Photoluminescence from n-type tensile-strained Ge and GeSn wires on an insulator fabricated by lateral liquid-phase epitaxy
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横向液相外延制造的绝缘体上 n 型拉伸应变 Ge 和 GeSn 线的光致发光
DOI：
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发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
and H. Watanabe
中科院分区：
文献类型：
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作者：
T. Shimura;M. Matsue;K. Tominaga;K. Kajimuira;T. Amamoto;T. Hosoi;and H. Watanabe
