Ion/Ioff Ratio Enhancement of Gate-All-Around Nanowire Negative-Capacitance FET with Ferroelectric HfO2
Ion/Ioff Ratio Enhancement of Gate-All-Around Nanowire Negative-Capacitance FET with Ferroelectric HfO2
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使用铁电 HfO2 增强全栅纳米线负电容 FET 的离子/关断比
DOI：
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发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
and Toshiro Hiramoto
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Kyungmin Jang;Takuya Saraya;Masaharu Kobayashi;and Toshiro Hiramoto
