Strained In_<0.53>Ga_<0.47>As metal-oxide-semiconductor field-effect transistors with epitaxial based biaxial strain
Strained In_<0.53>Ga_<0.47>As metal-oxide-semiconductor field-effect transistors with epitaxial based biaxial strain
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应变 In_<0.53>Ga_<0.47>As 金属氧化物半导体场效应晶体管，具有基于外延的双轴应变
DOI：
10.1063/1.4714770
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发表时间：
2012
影响因子：
4
通讯作者：
M. Takenaka and S. Takagi
中科院分区：
文献类型：
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作者：
S. H. Kim;E Yokoyama;N. Taoka;R. Nakane;T. Yasuda;H. Yamada;N. Fukuhara;M. Hata;M. Takenaka and S. Takagi
