K.Fujinaga: "MOSFET evaluation of ultracleam-CVD Si and SiGe growm at 550 °C on SIMDX"Chemical Vapor Deposition. (未定). (2000)
K.Fujinaga: "MOSFET evaluation of ultracleam-CVD Si and SiGe growm at 550 °C on SIMDX"Chemical Vapor Deposition. (未定). (2000)
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K.Fujinaga：“在 SIMDX 上 550 °C 下生长的 Ultracream-CVD Si 和 SiGe 的 MOSFET 评估”化学气相沉积 (TBD)。
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