X線回折法によるGaN表面近傍のひずみ評価
X線回折法によるGaN表面近傍のひずみ評価
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使用 X 射线衍射法评估 GaN 表面附近的应变
DOI：
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发表时间：
2012
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
鈴木良和,持木健吾,秋本晃一,浪田秀郎,長尾哲
中科院分区：
文献类型：
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作者：
H.Yamada-Kaneta;H.Watanabe;Y.Nagai;S.Baba;M.Akatsu;Y.Nemoto;T.Goto;鈴木良和,持木健吾,秋本晃一,浪田秀郎,長尾哲
