H.Wadao, T.Shimizu, M.Ishida and T.Nakamura: "The growth properties of SiGe Films on Si (100) using Si2H6 gas and Ge Solid Source Molecular Beam Epitaxy" J.Gryst.Growth. 147. 320-325 (1995)
H.Wadao, T.Shimizu, M.Ishida and T.Nakamura: "The growth properties of SiGe Films on Si (100) using Si2H6 gas and Ge Solid Source Molecular Beam Epitaxy" J.Gryst.Growth. 147. 320-325 (1995)
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H.Wadao、T.Shimizu、M.Ishida 和 T.Nakamura：“使用 Si2H6 气体和 Ge 固体源分子束外延在 Si (100) 上生长 SiGe 薄膜的特性”J.Gryst.Growth。
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