Enhanced spin transmission due to interfacial NiFe insertion in YIG/Pt films
Enhanced spin transmission due to interfacial NiFe insertion in YIG/Pt films
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YIG/Pt 薄膜中的界面 NiFe 插入增强了自旋传输
DOI：
10.1063/5.0065559
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发表时间：
2021-11
影响因子：
4
通讯作者：
Hongwu Zhao
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Haibin Shi;Yangtao Su;Yang Meng;Li Wang;Xinyu Cao;Hongwu Zhao
我们报道了通过插入亚纳米厚度的Ni81Fe19(Py)层来增强YIG/Pt界面的自旋传输，通过自旋霍尔磁阻、自旋泵浦效应和自旋Seebeck效应的测量。通过与Py厚度相关的自旋混合电导G“#的比较分析，可以直接将增强的自旋传输归因于Py插入而不是界面磁矩密度引起的自旋涨落，同时，自旋电流被Py过渡层产生的自旋记忆损耗过程部分抑制，从而导致较厚的Py导致G”#的整体衰减。结果，由插入Py引起的两个竞争过程共同调制了自旋传输效率。
We report the spin transmission enhancement at the YIG/Pt interface by inserting the subnanometer thick Ni81Fe19 (Py) layer, as clarified.comprehensively by spin Hall magnetoresistance, spin pumping effect, and spin Seebeck effect measurements. Through comparative analysis.of Py thickness dependent spin-mixing conductance G"#, the enhanced spin transmission can be directly attributed to the spin fluctuations.due to the Py insertion instead of the interfacial magnetic moment density. Meanwhile, the spin current is partially suppressed by the spin.memory loss process arising from the Py interlayer, leading to the overall attenuation of G"# with thicker Py. As a result, the two competing.processes caused by insert Py jointly modulate the spin transmission efficiency.
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发表时间：
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Won‐Yong Lee;No‐Won Park;Min‐Sung Kang;Gil-Sung Kim;Ho Won Jang;E. Saitoh;Sang‐Kwon Lee
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