Characterization of Electronic Charged States of Si-based Quantum Dots for Multi-valued MOS Memories

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多值 MOS 存储器硅基量子点电子带电状态表征

DOI：
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发表时间：
2006
期刊：
Proceedings of The 8th International Conference on Solid-State and Integrated-Circuit Technology
影响因子：
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通讯作者：
S.Miyazaki
S.Miyazaki
中科院分区：
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文献类型：
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作者：
木村一子;落合純代;河本大地;福永寛明;中村 賜;Zheng Taixing;Matsutomi Tomoya;中本 千泉;K. Makihara;K. Makihara;T. Hosoi;K. Makihara;K. Makihara;S. Miyazaki;T. Sakata;A. Ohta;T. Sakata;R. Nishihara;S. Miyazaki;K.Makihara;J.Nishitani;S.Miyazaki;K.Makihara;K.Makihara;K.Makihara;K.Makihara;S.Miyazaki;S.Miyazaki

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