Photo-Induced Gain of Open-Circuit-Potential (OCP) in GaN Photoelectrodes for Characterizing Defects and Photoelectrochemical Activity
Photo-Induced Gain of Open-Circuit-Potential (OCP) in GaN Photoelectrodes for Characterizing Defects and Photoelectrochemical Activity
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用于表征缺陷和光电化学活性的 GaN 光电极中的光致开路电位 (OCP) 增益
DOI：
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发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
M. Sugiyama and Y. Nakano
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Y. Imazeki;Y. Iwai;A. Nakamura;K. Koike;K. Watanabe;K. Fujii ;M. Sugiyama and Y. Nakano
