Y.Jeong et al.: "Atomic-Layer Doping in Si by Alternately Supplied NH_3 and SiH_4"Appl.Phys.Lett.. Vol.82. 3472-3474 (2003)
Y.Jeong et al.: "Atomic-Layer Doping in Si by Alternately Supplied NH_3 and SiH_4"Appl.Phys.Lett.. Vol.82. 3472-3474 (2003)
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Y.Jeong 等人：“通过交替提供 NH_3 和 SiH_4 在 Si 中进行原子层掺杂”Appl.Phys.Lett.. 第 82 卷。
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