Suppression of isolation leakage current in AlGaN/GaN HEMTs by neutral-beam etching
Suppression of isolation leakage current in AlGaN/GaN HEMTs by neutral-beam etching
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通过中性束蚀刻抑制 AlGaN/GaN HEMT 中的隔离漏电流
DOI：
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发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
and T. Suemitsu
中科院分区：
文献类型：
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作者：
F. Hemmi;C. Thomas;Y.-C. Lai;A. Higo;A. Guo;S. Warnock;J. A. del Alamo;S. Samukawa;T. Otsuji;and T. Suemitsu
