Gate controlled long spin relaxation times in the persistent spin helix state in semiconductors
Gate controlled long spin relaxation times in the persistent spin helix state in semiconductors
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半导体中持续自旋螺旋状态下的门控长自旋弛豫时间
DOI：
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发表时间：
2012
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
M. Kohda
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Yu TORIYABE;Yusuke SATO;Seiichi NISHIZAWA;Norio TERAMAE;M. Kohda
