H.Matsunami: "Vanadium ion implanted guard rings for high-voltage 4H-SiC Schottky rectifiers"Japanese J.Applled Physics. 39. L1216-L1218 (2000)
H.Matsunami: "Vanadium ion implanted guard rings for high-voltage 4H-SiC Schottky rectifiers"Japanese J.Applled Physics. 39. L1216-L1218 (2000)
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H.Matsunami：“用于高压4H-SiC肖特基整流器的钒离子注入保护环”日本J.应用物理。
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