GaAs and AlGaAs APDs with GaSb absorption regions in a separate absorption and multiplication structure using a hetero-lattice interface
GaAs and AlGaAs APDs with GaSb absorption regions in a separate absorption and multiplication structure using a hetero-lattice interface
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使用异质晶格界面在单独的吸收和倍增结构中具有 GaSb 吸收区域的 GaAs 和 AlGaAs APD
DOI：
10.1016/j.infrared.2014.08.014
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发表时间：
2015
影响因子：
3.3
通讯作者：
D. Huffaker
中科院分区：
文献类型：
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作者：
A. Marshall;A. Craig;C. Reyner;D. Huffaker
