Influence of channel width on n - and p -type nano-wire-MOSFETs on silicon on insulator substrate
Influence of channel width on n - and p -type nano-wire-MOSFETs on silicon on insulator substrate
复制标题
沟道宽度对绝缘体衬底硅上 n 型和 p 型纳米线 MOSFET 的影响
DOI：
10.1016/s0167-9317(03)00191-6
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发表时间：
2003
影响因子：
2.3
通讯作者：
H. Kurz
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
M. Lemme;T. Mollenhauer;W. Henschel;T. Wahlbrink;M. Heuser;M. Baus;O. Winkler;B. Spangenberg;R. Granzner;F. Schwierz;H. Kurz
