GaN-based Inverter by Monolithic Integration of Threshold Controlled MOSFETs
GaN-based Inverter by Monolithic Integration of Threshold Controlled MOSFETs
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采用单片集成阈值控制 MOSFET 的 GaN 逆变器
DOI：
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发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Hiroshi Okada
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Hiroto Sekiguchi ; Kiyomasa Miwa ; Keisuke Yamane ; Akihiro Wakahara ; Hiroshi Okada
