Si/SiGe系2DEGのPdショットゲート制御による結合量子ドットの作製
Si/SiGe系2DEGのPdショットゲート制御による結合量子ドットの作製
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通过 Si/SiGe 基 2DEG 的 Pd 栅极控制制造耦合量子点
DOI：
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发表时间：
2010
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
小田俊理
中科院分区：
文献类型：
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作者：
福岡佑二;小寺哲夫;大塚朋廣;武田健太;小幡利顕;吉田勝治;澤野憲太郎;内田 建;白木靖寛;樽茶清悟;小田俊理
