A Self-Aligned Silicidation Technology for Surround-Gate Vertical Vertical MOSFETS using a Frame Gate Architecture
A Self-Aligned Silicidation Technology for Surround-Gate Vertical Vertical MOSFETS using a Frame Gate Architecture
复制标题
采用框栅架构的环栅垂直 MOSFET 的自对准硅化技术
DOI：
--
复制
发表时间：
2009
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
M Hakim
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
M Hakim
