High Power High Efficiency 475-520 GHz Source Based on Discrete Schottky Diodes
High Power High Efficiency 475-520 GHz Source Based on Discrete Schottky Diodes
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基于分立肖特基二极管的高功率高效率 475-520 GHz 源
DOI：
10.23919/eumc48046.2021.9338081
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发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
I. Oprea
中科院分区：
文献类型：
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作者：
D. Moro;O. Cojocari;I. Oprea
这项工作报告了一种基于分立肖特基二极管技术的 500 GHz 源。 ACST开发的高频部分由135-160 GHz的高功率和高效率的双峰和475-540 GHz的三峰组成。两种乘法器的每个模块都采用单芯片，并且不使用任何功率组合技术。 150 GHz 和 500 GHz 乘法器能够处理超过 400 mW 和 100 mW 的输入功率，并分别提供超过 140 mW 和 20 mW 的输出功率。这是据报道的最强大的 500 GHz 源，基于分立肖特基二极管，不使用功率组合。
A 500 GHz source based on discrete Schottky diodes technology is reported in this work. The high frequency part developed by ACST consists of a high power and high efficiency doublet at 135-160 GHz and a tripler at 475-540 GHz. Both multipliers feature a single chip per module and do not use any power combining techniques. The 150 GHz and 500 GHz multipliers are able to handle more than 400 mW and 100 mW input power and provide more than 140 mW and 20 mW output power, respectively. This is the most powerful 500 GHz source reported based on discrete Schottky diodes without using power combining.