シリコンナノワイヤチャネルを有する室温動作単電子/単正孔トランジスタにおけるドット形成メカニズム
シリコンナノワイヤチャネルを有する室温動作単電子/単正孔トランジスタにおけるドット形成メカニズム
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具有硅纳米线通道的室温单电子/单孔晶体管的点形成机制
DOI:
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发表时间:
2012
期刊:
影响因子:
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通讯作者:
鈴木龍太,野末喬城,更屋拓哉,平本俊郎
中科院分区:
文献类型:
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作者:
永妻忠夫;久武信太郎;鈴木龍太,野末喬城,更屋拓哉,平本俊郎