極薄Si酸化膜技術を用いてエピタキシャル成長したSi基板上Fe3O4ナノドットの抵抗スイッチング特性
極薄Si酸化膜技術を用いてエピタキシャル成長したSi基板上Fe3O4ナノドットの抵抗スイッチング特性
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超薄硅氧化膜技术在硅衬底上外延生长Fe3O4纳米点的电阻开关特性
DOI：
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发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
松井秀紀，中村芳明，竹内正太郎，酒井朗
中科院分区：
文献类型：
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作者：
S. Yamasaka;Y. Nakamura;T. Ueda;S. Takeuchi;and A. Sakai;中村芳明;山阪司祐人，中村芳明，上田智広，竹内正太郎，酒井明;上田智広，中村芳明，竹内正太郎，酒井朗;松井秀紀，中村芳明，竹内正太郎，酒井朗
