水素ラジカルによる選択過熱現象を利用した Si1-xGex 薄膜形成技術
水素ラジカルによる選択過熱現象を利用した Si1-xGex 薄膜形成技術
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利用氢自由基引起的选择性加热现象的Si1-xGex薄膜形成技术
DOI：
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发表时间：
2012
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
白木靖寛
中科院分区：
文献类型：
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作者：
荒井哲司;川口裕樹;中村浩之;有元圭介;山中淳二;佐藤哲也;中川清和;高松利行;澤野憲太郎;星裕介;白木靖寛
