反強磁性近藤半導体CeT2Al10(T = Ru, Os)のc-f混成および擬ギャップに対する一軸圧力効果
反強磁性近藤半導体CeT2Al10(T = Ru, Os)のc-f混成および擬ギャップに対する一軸圧力効果
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单轴压力对反铁磁近藤半导体 CeT2Al10 (T = Ru, Os) 中 c-f 杂化和赝能隙的影响
DOI:
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发表时间:
2016
期刊:
影响因子:
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通讯作者:
高畠敏郎
中科院分区:
文献类型:
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作者:
林慶介;竹内崇志;川端丈;梅尾和則;室裕司;高畠敏郎