Inoue, K., Kai, K., and Murakami, K.: "High Bandwidth Variable, Variable Line-Size Cache Architecture for Merged DRAM/Logic LSIs"IEICE Trans. on Electronics. E81-C, 9. 1438-1447 (1998)
Inoue, K., Kai, K., and Murakami, K.: "High Bandwidth Variable, Variable Line-Size Cache Architecture for Merged DRAM/Logic LSIs"IEICE Trans. on Electronics. E81-C, 9. 1438-1447 (1998)
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Inoue, K.、Kai, K. 和 Murakami, K.：“用于合并 DRAM/逻辑 LSI 的高带宽可变、可变行大小高速缓存架构”IEICE Trans。
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