多重台形ナノチャネルAlGaN/GaN HEMTの電流制御性
多重台形ナノチャネルAlGaN/GaN HEMTの電流制御性
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多梯形纳米通道AlGaN/GaN HEMT的电流可控性
DOI：
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发表时间：
2010
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
大井幸多
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Kota Ohi;Tamotsu Hashizume;河野泰宏;大井幸多
