H. Ishikawa, T. Soga, T. Nagatomo, T. JImbo and M. Umeno: "Highly c-axis aligned GaN thin film grown on Si using GaP intermediate layer by metalorganic chemical vapor deposition." Proc. of Int'l Symp. on Blue Laser and Light Emitting Doides, Chaba Univ.,
H. Ishikawa, T. Soga, T. Nagatomo, T. JImbo and M. Umeno: "Highly c-axis aligned GaN thin film grown on Si using GaP intermediate layer by metalorganic chemical vapor deposition." Proc. of Int'l Symp. on Blue Laser and Light Emitting Doides, Chaba Univ.,
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H. Ishikawa、T. Soga、T. Nagatomo、T. Jimbo 和 M. Umeno：“通过金属有机化学气相沉积，使用 GaP 中间层在 Si 上生长高度 c 轴排列的 GaN 薄膜。”
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