Electron and hole mobilities in ambipolar MoS2 electric-double-layer transistor
Electron and hole mobilities in ambipolar MoS2 electric-double-layer transistor
复制标题
双极MoS2双电层晶体管中的电子和空穴迁移率
DOI：
10.1063/5.0016336
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发表时间：
2020
影响因子：
3.2
通讯作者：
and I. Shioya
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Y. Shimazu;S. Ono;and I. Shioya
