Controlled morphology of regular GaN microrod arrays by selective area growth with HVPE
Controlled morphology of regular GaN microrod arrays by selective area growth with HVPE
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通过 HVPE 选择性区域生长控制规则 GaN 微棒阵列的形貌
DOI：
10.1016/j.jcrysgro.2016.05.008
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发表时间：
2016
影响因子：
1.8
通讯作者：
Hiroshi Amano
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Kaddour Lekhal;Si-Young Bae;Ho-Jun Lee;Tadashi Mitsunari;Akira Tamura;Manato Deki;Yoshio Honda;Hiroshi Amano
