Growth of pn-GaInN structures by RF-MBE and fabrication of homojunction-type light emitting diodes
Growth of pn-GaInN structures by RF-MBE and fabrication of homojunction-type light emitting diodes
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通过 RF-MBE 生长 pn-GaInN 结构并制造同质结型发光二极管
DOI：
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发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
T. Onuma and T. Honda
中科院分区：
文献类型：
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作者：
K. Narutani;T. Yamaguchi;K. Wang;T .Araki;Y. Nanishi;L. Sang;M. Sumiya;S. Fujioka;T. Onuma and T. Honda
