Fabrication of High-Aspect Nanoscale Hole in Si with Photo-Electro-Chemical Etching
Fabrication of High-Aspect Nanoscale Hole in Si with Photo-Electro-Chemical Etching
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利用光电化学蚀刻在硅中制造高深宽纳米级孔
DOI：
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发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Noriyuki Tamura
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Taeko Abdi;Jyunya Touno;Noriyuki Tamura
