超低電圧リテンションSRAMのパワーゲーティング性能とアーキテクチャ
超低電圧リテンションSRAMのパワーゲーティング性能とアーキテクチャ
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超低电压保持 SRAM 的功率门控性能和架构
DOI：
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发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
矢野広気，塩津勇作，山本修一郎，菅原聡
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Kiyohide Usami;Riki Matsumoto;Anna Korzeniewska;Akihiro Shimotake;Masao Matsuhashi;Takuro Nakae;Takayuki Kikuchi;Kazumichi Yoshida;Takeharu Kunieda;Ryosuke Takahashi;Nathan Crone;Akio Ikeda;矢野広気，塩津勇作，山本修一郎，菅原聡
