Development of an atomic force microscope combined with a scanning electron microscope for investigation of electronic properties of an actual semiconductor device
Development of an atomic force microscope combined with a scanning electron microscope for investigation of electronic properties of an actual semiconductor device
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开发原子力显微镜与扫描电子显微镜相结合，用于研究实际半导体器件的电子特性
DOI：
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发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
and F. Iwata
中科院分区：
文献类型：
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作者：
T. Uruma;C. Tunemitu;K. Terao;N. Satoh;H. Yamamoto;K. Nakazawa;and F. Iwata
