A K-Band Ultra-Compact Gm-Boost LNA Using One Multi-Coupled Transformer in 65-nm CMOS
A K-Band Ultra-Compact Gm-Boost LNA Using One Multi-Coupled Transformer in 65-nm CMOS
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一种采用 65 nm CMOS 中的一个多耦合变压器的 K 波段超紧凑 Gm-Boost LNA
DOI：
10.1109/lmwc.2022.3155669
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发表时间：
2022-03-17
影响因子：
3
通讯作者：
Zhou, Runling
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Meng, Xiangyu;Zhou, Runling
这封信提出了一个超紧凑的gm升压低噪声放大器（LNA），只有一个多耦合Transformer的第一次。在65 nm CMOS工艺实现，建议的LNA实现了测量的峰值增益为10.5 dB，其3 dB带宽范围从21到34.5 GHz和噪声系数（NF）为2.5 dB，而消耗4 mW的直流功率。基于Transformer的上级紧凑性，LNA的核心面积被优化为<inline-formula><tex-math notation="LaTeX">仅0.03 ~{\text {mm}}^{2}$</tex-math></inline-formula>。
This letter presents an ultra-compact gm-boost low noise amplifier (LNA) with only one multi-coupled transformer for the first time. Implemented in 65-nm CMOS process, the proposed LNA achieves a measured peak gain of 10.5 dB with its 3-dB bandwidth ranging from 21 to 34.5 GHz and a noise figure (NF) of 2.5 dB at 28 GHz, while consuming 4-mW dc power. Based on the superior compactness of the transformer, the core area of the LNA is optimized to only <inline-formula> <tex-math notation="LaTeX">$0.03~{\text {mm}}^{2}$ </tex-math></inline-formula>.