Analog ferroelectric domain-wall memories and synaptic devices integrated with Si substrates
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DOI：
10.1007/s12274-021-3899-5
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发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
9.9
通讯作者：
Anquan Jiang
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Chao Wang;Tianyu Wang;Wendi Zhang;Jun Jiang;Lin Chen;Anquan Jiang
