アモルファス酸化ガリウムを用いたメモリスタの抵抗変化特性およびシナプス特性
アモルファス酸化ガリウムを用いたメモリスタの抵抗変化特性およびシナプス特性
复制标题
非晶氧化镓忆阻器的电阻变化特性和突触特性
DOI：
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发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
酒井朗
中科院分区：
文献类型：
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作者：
上甲守治;池内太志;林侑介;藤平哲也;酒井朗
