分子線エピタキシーによる2インチSi基板上へのGaAsナノワイヤの成長
分子線エピタキシーによる2インチSi基板上へのGaAsナノワイヤの成長
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分子束外延在2英寸Si衬底上生长GaAs纳米线
DOI：
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发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
行宗 詳規
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Kondo Tomohiro;Kanai Masashi;Matsubara Junichi;Quy Pham Nguyen;Fukuyama Keita;Yamamoto Yoshihiro;Yamada Takahiro;Nishigaki Masakazu;Minamiguchi Sachiko;Takeda Masayuki;Nishio Kazuto;Matsumoto Shigemi;Muto Manabu;行宗 詳規
