Influence of biaxial stress on the electron transport properties at SiO2/4H-SiC interfaces
Influence of biaxial stress on the electron transport properties at SiO2/4H-SiC interfaces
复制标题
双轴应力对SiO2/4H-SiC界面电子传输性能的影响
DOI：
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发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
櫻井岳暁
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Fu Wei;植田 暁子;矢野 裕司;原田 信介;櫻井岳暁
