Thermal annealing effects on Ni/Au based Schottky contacts on n-GaN and AlGaN/GaN with insertion of high work function metal
Thermal annealing effects on Ni/Au based Schottky contacts on n-GaN and AlGaN/GaN with insertion of high work function metal
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DOI：
10.1016/j.sse.2003.07.006
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发表时间：
2004-05
影响因子：
1.7
通讯作者：
N. Miura;T. Nanjo;M. Suita;T. Oishi;Y. Abe;T. Ozeki;H. Ishikawa;T. Egawa;T. Jimbo
中科院分区：
文献类型：
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作者：
N. Miura;T. Nanjo;M. Suita;T. Oishi;Y. Abe;T. Ozeki;H. Ishikawa;T. Egawa;T. Jimbo
