Y.G.Xie: "A Novel InGaAs/InAlAs Insulated Gate Pseudomorphic HEMT with a Silicon Interface Control Layer Showing High DC-and RF-Performance"IEEE Electron Device Letter. 22. 312-314 (2001)
Y.G.Xie: "A Novel InGaAs/InAlAs Insulated Gate Pseudomorphic HEMT with a Silicon Interface Control Layer Showing High DC-and RF-Performance"IEEE Electron Device Letter. 22. 312-314 (2001)
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Y.G.Xie：“一种新型 InGaAs/InAlAs 绝缘栅赝晶 HEMT，具有硅界面控制层，显示出高直流和射频性能”IEEE 电子器件通讯。
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