Angular resolved energy distribution of secondary ions emitted from a silicon target sputtered by rare gas ions under oblique incidence
Angular resolved energy distribution of secondary ions emitted from a silicon target sputtered by rare gas ions under oblique incidence
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斜入射下稀有气体离子溅射硅靶材发射的二次离子的角分辨能量分布
DOI：
10.1016/0168-583x(93)95814-l
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发表时间：
1993
影响因子：
1.3
通讯作者：
Corinne Resseguier
中科院分区：
文献类型：
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作者：
C. Pellet;C. Schwebel;Corinne Resseguier
