WO3の形成と抵抗変化メモリへの応用
WO3の形成と抵抗変化メモリへの応用
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WO3的形成及其在阻变存储器中的应用
DOI：
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发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
高木翔太，池田礼隆，荒井哲司，有元圭介，山中淳二，中川清和，高松利行
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Filzah Binti Zainal Arif;松本紘希;木村宗弘;赤羽正志;高木翔太，池田礼隆，荒井哲司，有元圭介，山中淳二，中川清和，高松利行
