レーザードーピング法による4H-SiC低抵抗コンタクトの形成とレーザー照射損傷のパルス幅依存性
レーザードーピング法による4H-SiC低抵抗コンタクトの形成とレーザー照射損傷のパルス幅依存性
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激光掺杂法形成4H-SiC低阻触点及激光辐照损伤的脉宽依赖性
DOI：
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发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
池田 晃裕，中村 大輔，浅野 種正，池上 浩
中科院分区：
文献类型：
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作者：
菊地 俊文;妹川 要;池田 晃裕，中村 大輔，浅野 種正，池上 浩
