森 勇藏, 芳井熊安, 安武 潔, 垣内弘章, 大参宏昌, 和田勝男: "大気圧プラズマCVD法によるエピタキシャルSiの低温かつ高速成長(第1報)-エピタキシャルSi成長条件の検討-"精密工学会誌. (印刷中). (2002)

森 勇藏, 芳井熊安, 安武 潔, 垣内弘章, 大参宏昌, 和田勝男: "大気圧プラズマCVD法によるエピタキシャルSiの低温かつ高速成長(第1報)-エピタキシャルSi成長条件の検討-"精密工学会誌. (印刷中). (2002)
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Yuzo Mori、Kumayasu Yoshii、Kiyoshi Yasutake、Hiroaki Kakiuchi、Hiromasa Osami、Katsuo Wada:“利用常压等离子体 CVD 法进行外延 Si 的低温高速生长(第 1 次报告)- 外延 Si 生长条件的检查 -” 精度工程工程师学会杂志(印刷中)(2002 年)。

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