S,Yamaguchi,M.Kariya,S.Nitta,H.Amano,I.Akasaki: "Strain relief and its effect on the properties of GaN using isoelectronic In doping grown by metalorganic vapor phase epitaxy"Applied Physics Letters. 75. 4106-4108 (1999)
S,Yamaguchi,M.Kariya,S.Nitta,H.Amano,I.Akasaki: "Strain relief and its effect on the properties of GaN using isoelectronic In doping grown by metalorganic vapor phase epitaxy"Applied Physics Letters. 75. 4106-4108 (1999)
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S，Yamaguchi，M.Kariya，S.Nitta，H.Amano，I.Akasaki：“通过金属有机气相外延生长的等电子掺杂，应变消除及其对 GaN 性能的影响”应用物理快报。
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