Testing of bulk radiation damage of n-in-p silicon sensor for very high radiation environment
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复制标题
极高辐射环境下 n-in-p 硅传感器的体辐射损伤测试
DOI：
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发表时间：
2010
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
他
中科院分区：
文献类型：
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作者：
K.Hara;他
