TrapdensityofGeNx/Geinterfacefabricatedbyelectroncyclotronresonanceplasmanitridation
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电子回旋共振等离子体氮化制备GeNx/Ge界面的陷阱密度
DOI：
10.1063/1.3611581
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发表时间：
2011
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Y.Fukuda,Y.Otani,H.Toyota,andT.Ono
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
W. Li;E. Meng;D. Ishikawa;K. Nakane;S. Oda;T. Matsushita;Y.Fukuda,Y.Otani,T.Sato,H.Toyota,001100203040andT.Ono;Y.Fukuda,Y.Otani,H.Toyota,andT.Ono
