CMOS integrated ZnO thin film bulk acoustic resonator with Si3N4 susceptor layer for improved IR sensitivity
CMOS integrated ZnO thin film bulk acoustic resonator with Si3N4 susceptor layer for improved IR sensitivity
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CMOS 集成 ZnO 薄膜体声谐振器，具有 Si3N4 感受层，可提高红外灵敏度
DOI：
10.1109/drc.2017.7999463
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发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Kymissis, Ioannis
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Colon-Berrios, Aida R.;Edrees, Hassan;McGinn, Christine;Cavallari, Marco Roberto;Kinget, Peter;Kymissis, Ioannis
