Properties of GaN nanowires with ScxGa1-xN insertion
Properties of GaN nanowires with ScxGa1-xN insertion
复制标题
ScxGa1-xN 插入的 GaN 纳米线的特性
DOI：
10.17863/cam.12421
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发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Bao A
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Bao A
